7nm不是工藝的終點,而是物理上的天花板。做個小于7nm的東西其實不難,用電子束光刻(ebeam lith)就行,但問題是,硅晶體管做到7nm以下后,中間隔的原子層數(shù)太少了,量子隧穿效應就會讓漏電問題嚴重到無法忽略,這樣的晶體管根本沒法用。
芯片上集成的晶體管太多了,每個晶體管的柵極控制著電流能不能從源極流向漏極,而源極和漏極之間是通過硅連接的。隨著晶體管尺寸縮小,源極和漏極之間的溝道也跟著變短,當短到一定程度時,量子隧穿效應就會更容易發(fā)生。這樣一來,晶體管就失去了開關的作用,邏輯電路也就沒法正常工作了。2016年有篇網上的文章說,用現(xiàn)有硅材料的芯片,如果晶體管柵長低于7nm,電子就很容易出現(xiàn)量子隧穿效應,這對芯片制造商是個巨大挑戰(zhàn)。所以,7nm可能是硅芯片在物理層面的一個極限,但不一定絕對。
目前半導體行業(yè)肯定是先改結構來應對,但從理論上講,每十年降低60mV這個極限是現(xiàn)階段半導體無法突破的。真正的下一代半導體肯定會基于完全不同的工作原理,不管是TFET、MIFET還是其他什么原理,肯定都會取代現(xiàn)有的半導體技術。
難點和問題
半導體制冷技術挺復雜的,里面涉及一堆參數(shù),隨便一個都會影響制冷效果。比如實驗室研究時,噪聲太大就會干擾實驗環(huán)境。因為這種技術是基于粒子效應的,而且還有可逆性,所以在應用中冷熱端會產生很大溫差,這也會影響制冷效果。
1. 半導體材料的優(yōu)質系數(shù)提升不上來,直接影響技術應用。
2. 冷端和熱端散熱系統(tǒng)的優(yōu)化設計還停留在理論階段,實際應用中作用不大,導致整個技術沒法按需求提升。
3. 這個技術在其他領域的應用受限,研究也沒從實際應用出發(fā),所以擴展很難。
4. 在市場經濟環(huán)境下,想讓這項技術發(fā)展得好,還得考慮各種因素,只有把這些都搞定,才能讓技術真正發(fā)揮作用。
芯片上集成的晶體管太多了,每個晶體管的柵極控制著電流能不能從源極流向漏極,而源極和漏極之間是通過硅連接的。隨著晶體管尺寸縮小,源極和漏極之間的溝道也跟著變短,當短到一定程度時,量子隧穿效應就會更容易發(fā)生。這樣一來,晶體管就失去了開關的作用,邏輯電路也就沒法正常工作了。2016年有篇網上的文章說,用現(xiàn)有硅材料的芯片,如果晶體管柵長低于7nm,電子就很容易出現(xiàn)量子隧穿效應,這對芯片制造商是個巨大挑戰(zhàn)。所以,7nm可能是硅芯片在物理層面的一個極限,但不一定絕對。
目前半導體行業(yè)肯定是先改結構來應對,但從理論上講,每十年降低60mV這個極限是現(xiàn)階段半導體無法突破的。真正的下一代半導體肯定會基于完全不同的工作原理,不管是TFET、MIFET還是其他什么原理,肯定都會取代現(xiàn)有的半導體技術。
難點和問題
半導體制冷技術挺復雜的,里面涉及一堆參數(shù),隨便一個都會影響制冷效果。比如實驗室研究時,噪聲太大就會干擾實驗環(huán)境。因為這種技術是基于粒子效應的,而且還有可逆性,所以在應用中冷熱端會產生很大溫差,這也會影響制冷效果。
1. 半導體材料的優(yōu)質系數(shù)提升不上來,直接影響技術應用。
2. 冷端和熱端散熱系統(tǒng)的優(yōu)化設計還停留在理論階段,實際應用中作用不大,導致整個技術沒法按需求提升。
3. 這個技術在其他領域的應用受限,研究也沒從實際應用出發(fā),所以擴展很難。
4. 在市場經濟環(huán)境下,想讓這項技術發(fā)展得好,還得考慮各種因素,只有把這些都搞定,才能讓技術真正發(fā)揮作用。