出于兼容性的考慮,DDR2標準在制定之初似乎顯得有些縮手縮腳,這也直接導致其各方面表現比起DDR沒有長足進步。新一代的DDR3采用了ODT(核心整合終結器)技術以及用于優化性能的EMRS技術,同時也允許輸入時鐘異步。在針腳定義方面,DDR3表現出很強的獨立性,甚至敢于徹底拋棄TSOPII與mBGA封裝形式,采用更為先進的FBGA封裝(如圖10)。DDR III內存用了0.08微米制造工藝制造,將工作在1.5V的電壓下。
從長遠趨勢來看,擁有單芯片位寬以及頻率和功耗優勢的DDR3是令人鼓舞的,不過普及之路還相當遙遠。DDR3內存在2007年上市,芯片組以及業界發展具體形勢不好預測,DDRIII的規格也可能在不斷地演變,但是一個不變的真理,那就是DDR2一樣也會被更新一代的內存所取代,至于這個取代過程有多久,誰也無法準確地預測出來。
從長遠趨勢來看,擁有單芯片位寬以及頻率和功耗優勢的DDR3是令人鼓舞的,不過普及之路還相當遙遠。DDR3內存在2007年上市,芯片組以及業界發展具體形勢不好預測,DDRIII的規格也可能在不斷地演變,但是一個不變的真理,那就是DDR2一樣也會被更新一代的內存所取代,至于這個取代過程有多久,誰也無法準確地預測出來。